سامسونج تكشف عن ذاكرة HBM4
أعلنت شركة سامسونج، العملاقة الكورية، خطوة مهمة نحو مستقبل تكنولوجي أفضل من خلال الكشف عن ذاكرة HBM4، هذا الإعلان جاء من قبل السيد سانغ جون هوانغ، نائب الرئيس التنفيذي ورئيس فريق منتجات DRAM في سامسونج.
بينما تقوم الشركة بالتركيز على تحقيق تقدم في تقنيات الذاكرة العرضية لدفع الحوسبة العالية الأداء نحو مراحل متقدمة، فإنها تعزز الأداء الحالي بواسطة طرح ذاكرة HBM3E، هذه الذاكرة تتميز بسرعة نقل بيانات تصل إلى 9.8 جيجابايت في الثانية وعرض نطاق ترددي يصل إلى 1.25 تيرابايت في الثانية لكل حزمة، ستكون هذه الإصدارات مفيدة في تلبية احتياجات الأنظمة البيئية للذكاء الاصطناعي وحوسبة عالية الأداء.
سامسونج تدمج تقنيات حرارية متقدمة لتعزيز ذاكرة HBM4
تقدم تطويرًا مبتكرًا في تكنولوجيا ذواكر عرض النطاق الترددي العالي (HBM) من خلال تقنيات حرارية مثل تجميع الرقائق غير الموصلة (NCF) والترابط النحاسي الهجين (HCB)، هذه التقنيات تعزز أداء الذاكرة وتزيد من سلامة الإشارة وتعزز كفاءة الطاقة، مما يساهم في تحسين أداء الذواكر العالية الأداء.
المصدر: وكالات
